kramka

Samsung 990 Evo 1TB MZ-V9E1T0BW

Samsung 990 Evo 1TB MZ-V9E1T0BW

Zdjęcia i parametry pochodzą z zewnętrznych katalogów produktowych, udostępnione w stanie „AS IS”.

Pełna specyfikacja (22 parametry)

Wszystkie konfiguracje (1)

Powiadom mnie o obniżce

Wideo

Charakterystyki

Dane katalogowe producenta, stan na dziś.
Informacje ogólne
Data premiery2024 r.
Podstawowe
Объём1 TB
Форм-факторM.2
ИнтерфейсPCI Express 5.0 x2
Версия NVMe2.0
Тип микросхем Flash3D TLC NAND
КонтроллерSamsung Piccolo
Размеры устройств M.22280
Ресурс записи600 TBW
Dane techniczne
DRAM-буферnie
Аппаратное шифрованиеAES 256bit
Скорость последовательного чтения5 000 Мбайт/с
Скорость последовательной записи4 200 Мбайт/с
Средняя скорость случайного чтения680 000 IOps
Средняя скорость случайной записи800 000 IOps
Энергопотребление (чтение/запись)4.9 W
Энергопотребление (ожидание)0.06 W
Время наработки на отказ (МТBF)1 500 000 ч
Grubość2.38 mm
Охлаждениеnie
Подсветкаnie
Zawartość zestawu
Тип поставкиRTL (в коробке)