Samsung 8ГБ DDR5 SODIMM 6400 МГц M435R1GB4PB1-CCP
Zdjęcia i parametry pochodzą z zewnętrznych katalogów produktowych, udostępnione w stanie „AS IS”.
Charakterystyki
| Podstawowe | |
|---|---|
| Набор | 1 модуль |
| Общий объем | 8 GB |
| Typ | DDR5 SO-DIMM |
| ECC | nie |
| Частота | 6400 MHz |
| PC-индекс | PC5-51200 |
| CAS Latency | 52T |
| Напряжение питания | 1.1 V |
| Dane techniczne | |
| Расположение чипов | одностороннее |
| Количество ранков | 1 |
| Число микросхем | 4 |
| Ёмкость микросхем | 16 Гбит |
| Тип микросхем | 1Gx16 |
| Профили Intel XMP | nie |
| Профили AMD EXPO | nie |
| Konstrukcja | |
| Охлаждение | nie |
| Низкопрофильный модуль | nie |
| Подсветка элементов платы | nie |
| Цвет | zielony |