3DRW NV3D 512GB
Zdjęcia i parametry pochodzą z zewnętrznych katalogów produktowych, udostępnione w stanie „AS IS”.
Pełna specyfikacja (17 parametry)
Wszystkie konfiguracje (4)
Charakterystyki
| Podstawowe | |
|---|---|
| Объём | 512 GB |
| Форм-фактор | M.2 |
| Интерфейс | PCI Express 3.0 x4 |
| Тип микросхем Flash | 3D TLC NAND |
| Контроллер | Silicon Motion SM2262EN |
| Размеры устройств M.2 | 2280 |
| Ресурс записи | 400 TBW |
| Dane techniczne | |
| DRAM-буфер | tak |
| Объем DRAM-буфера | 2048 MB |
| Аппаратное шифрование | nie |
| Скорость последовательного чтения | 2 200 Мбайт/с |
| Скорость последовательной записи | 2 000 Мбайт/с |
| Время наработки на отказ (МТBF) | 2 000 000 ч |
| Охлаждение | nie |
| Подсветка | nie |
| Совместимость с PS5 | nie |
| Zawartość zestawu | |
| Тип поставки | OEM/Bulk (без коробки) |